BFP182WE6327

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Pièce du fabricant

BFP182WE6327

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
27000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
  • fréquence - transition:8GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • Gain:22dB
  • puissance - maximum:250mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 8V
  • courant - collecteur (ic) (max):35mA
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-82A, SOT-343
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT343-4
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