55GN01MA-TL-E

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Pièce du fabricant

55GN01MA-TL-E

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
2147483647
Fiches techniques en ligne
55GN01MA-TL-E PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):10V
  • fréquence - transition:4.5GHz ~ 5.5GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
  • Gain:10dB @ 1GHz
  • puissance - maximum:400mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
  • courant - collecteur (ic) (max):70mA
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-70, SOT-323
  • paquet de dispositif de fournisseur:3-MCP
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