2SA1669-TB-E

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Pièce du fabricant

2SA1669-TB-E

Fabricant
Rochester Electronics
La description
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - rf
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:PNP
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):15V
  • fréquence - transition:3GHz
  • facteur de bruit (db typ @ f):2dB @ 900MHz
  • Gain:5dB
  • puissance - maximum:250mW
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 5mA, 10V
  • courant - collecteur (ic) (max):50mA
  • température de fonctionnement:-
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:3-CP
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