VS-C10ET07T-M3

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Pièce du fabricant

VS-C10ET07T-M3

Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
La description
SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - rf
Séries
-
En stock
992
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type de diodes:Schottky - Single
  • tension - crête inverse (max):650V
  • courant - max:10 A
  • capacité @ vr, f:430pF @ 1V, 1MHz
  • résistance @ si, f:-
  • puissance dissipée (max):60 W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • paquet / caisse:TO-220-2
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AC
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