A2G26H281-04SR3

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Pièce du fabricant

A2G26H281-04SR3

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - rf
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
A2G26H281-04SR3 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:LDMOS
  • la fréquence:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • Gain:14.2dB
  • tension - test:48 V
  • courant nominal (ampères):-
  • figure de bruit:-
  • courant - test:150 mA
  • puissance - sortie:50W
  • tension - nominale:125 V
  • paquet / caisse:NI-780S-4L
  • paquet de dispositif de fournisseur:NI-780S-4L
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