MRF8P20165WHSR5

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Pièce du fabricant

MRF8P20165WHSR5

Fabricant
Rochester Electronics
La description
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - rf
Séries
-
En stock
39
Fiches techniques en ligne
MRF8P20165WHSR5 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:LDMOS (Dual)
  • la fréquence:1.88GHz ~ 2.025GHz
  • Gain:14.8dB
  • tension - test:28 V
  • courant nominal (ampères):10µA
  • figure de bruit:-
  • courant - test:550 mA
  • puissance - sortie:37W
  • tension - nominale:65 V
  • paquet / caisse:NI-780S-4
  • paquet de dispositif de fournisseur:NI-780S-4
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