NE55410GR-T3-AZ

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Pièce du fabricant

NE55410GR-T3-AZ

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - rf
Séries
-
En stock
36571
Fiches techniques en ligne
NE55410GR-T3-AZ PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:LDMOS
  • la fréquence:2.14GHz
  • Gain:13.5dB
  • tension - test:28 V
  • courant nominal (ampères):250mA, 1A
  • figure de bruit:-
  • courant - test:20 mA
  • puissance - sortie:35.4dBm
  • tension - nominale:65 V
  • paquet / caisse:16-DFF, Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:16-HTSSOP
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