MMRF1006HR5

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Pièce du fabricant

MMRF1006HR5

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - rf
Séries
-
En stock
45
Fiches techniques en ligne
MMRF1006HR5 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:LDMOS
  • la fréquence:450MHz
  • Gain:20dB
  • tension - test:50 V
  • courant nominal (ampères):-
  • figure de bruit:-
  • courant - test:150 mA
  • puissance - sortie:1000W
  • tension - nominale:120 V
  • paquet / caisse:SOT-979A
  • paquet de dispositif de fournisseur:NI-1230-4H
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