BLF8G10LS-160,112

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Pièce du fabricant

BLF8G10LS-160,112

Fabricant
Rochester Electronics
La description
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - rf
Séries
-
En stock
4
Fiches techniques en ligne
BLF8G10LS-160,112 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:LDMOS
  • la fréquence:920MHz ~ 960MHz
  • Gain:19.7dB
  • tension - test:30 V
  • courant nominal (ampères):5µA
  • figure de bruit:-
  • courant - test:1.1 A
  • puissance - sortie:35W
  • tension - nominale:65 V
  • paquet / caisse:SOT-502B
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT502B
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