MURTA200120

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Pièce du fabricant

MURTA200120

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - barrettes
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
MURTA200120 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • configuration des diodes:1 Pair Common Cathode
  • type de diodes:Standard
  • tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
  • courant - moyen redressé (io) (par diode):100A
  • tension - avant (vf) (max) @ si:2.6 V @ 100 A
  • vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • courant - fuite inverse @ vr:25 µA @ 1200 V
  • température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Three Tower
  • paquet de dispositif de fournisseur:Three Tower
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