CDBGBSC201200-G

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Pièce du fabricant

CDBGBSC201200-G

Fabricant
Comchip Technology
La description
DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - barrettes
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
CDBGBSC201200-G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • configuration des diodes:1 Pair Common Cathode
  • type de diodes:Silicon Carbide Schottky
  • tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
  • courant - moyen redressé (io) (par diode):25.9A (DC)
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.8 V @ 10 A
  • vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):0 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 1200 V
  • température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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