GHXS100B120S-D3

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Pièce du fabricant

GHXS100B120S-D3

Fabricant
SemiQ
La description
SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
diodes - redresseurs - barrettes
Séries
-
En stock
48
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • configuration des diodes:2 Independent
  • type de diodes:Silicon Carbide Schottky
  • tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
  • courant - moyen redressé (io) (par diode):198A (DC)
  • tension - avant (vf) (max) @ si:1.7 V @ 100 A
  • vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • temps de récupération inverse (trr):0 ns
  • courant - fuite inverse @ vr:200 µA @ 1200 V
  • température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SOT-227-4, miniBLOC
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-227
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