J111-D26Z

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Pièce du fabricant

J111-D26Z

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors-jfets
Séries
-
En stock
877142
Fiches techniques en ligne
J111-D26Z PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • tension - claquage (v(br)gss):35 V
  • tension drain-source (vdss):-
  • courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):20 mA @ 15 V
  • consommation de courant (id) - max:-
  • tension - coupure (vgs off) @ id:3 V @ 1 µA
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • résistance - rds(on):30 Ohms
  • puissance - maximum:625 mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3
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