2SK879-Y(TE85L,F)

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Pièce du fabricant

2SK879-Y(TE85L,F)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
JFET N-CH 0.1W USM
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors-jfets
Séries
-
En stock
444
Fiches techniques en ligne
2SK879-Y(TE85L,F) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • tension - claquage (v(br)gss):-
  • tension drain-source (vdss):-
  • courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):1.2 mA @ 10 V
  • consommation de courant (id) - max:-
  • tension - coupure (vgs off) @ id:400 mV @ 100 nA
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8.2pF @ 10V
  • résistance - rds(on):-
  • puissance - maximum:100 mW
  • température de fonctionnement:125°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-70, SOT-323
  • paquet de dispositif de fournisseur:USM
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