UJ3N065080K3S

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Pièce du fabricant

UJ3N065080K3S

Fabricant
UnitedSiC
La description
650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors-jfets
Séries
-
En stock
326
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • tension - claquage (v(br)gss):650 V
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain (idss) @ vds (vgs=0):-
  • consommation de courant (id) - max:32 A
  • tension - coupure (vgs off) @ id:-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:630pF @ 100V
  • résistance - rds(on):95 mOhms
  • puissance - maximum:190 W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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