SSM6N61NU,LF

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Pièce du fabricant

SSM6N61NU,LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
SSM6N61NU,LF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A
  • rds sur (max) @ id, vgs:33mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.6nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:410pF @ 10V
  • puissance - maximum:2W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-WDFN Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-UDFNB (2x2)
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