SI4909DY-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SI4909DY-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
8190
Fiches techniques en ligne
SI4909DY-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 P-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):40V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8A
  • rds sur (max) @ id, vgs:27mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:63nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2000pF @ 20V
  • puissance - maximum:3.2W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
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