SIZ200DT-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SIZ200DT-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH DUAL 30V
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
765
Fiches techniques en ligne
SIZ200DT-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET® Gen IV
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
  • puissance - maximum:4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerWDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-PowerPair® (3.3x3.3)
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