SSM6N15AFE,LM

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Pièce du fabricant

SSM6N15AFE,LM

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
SSM6N15AFE,LM PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:100mA
  • rds sur (max) @ id, vgs:4Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:13.5pF @ 3V
  • puissance - maximum:150mW
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
  • paquet de dispositif de fournisseur:ES6 (1.6x1.6)
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