NVDD5894NLT4G

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Pièce du fabricant

NVDD5894NLT4G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
N-CHANNEL, MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
2500
Fiches techniques en ligne
NVDD5894NLT4G PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):40V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:14A (Ta), 64A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:10mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:41nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2103pF @ 25V
  • puissance - maximum:3.8W (Ta), 75W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK-5
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