FD6M043N08

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Pièce du fabricant

FD6M043N08

Fabricant
Rochester Electronics
La description
N-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
1404
Fiches techniques en ligne
FD6M043N08 PDF
Enquête
  • séries:Power-SPM™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):75V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:65A
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:148nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6180pF @ 25V
  • puissance - maximum:-
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:EPM15
  • paquet de dispositif de fournisseur:EPM15
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