RJK0230DPA-00#J5A

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Pièce du fabricant

RJK0230DPA-00#J5A

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
213000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):25V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:20A, 50A
  • rds sur (max) @ id, vgs:7mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1650pF @ 10V
  • puissance - maximum:15W, 35W
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-WPAK-D
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