BSM180D12P2C101

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Pièce du fabricant

BSM180D12P2C101

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
9
Fiches techniques en ligne
BSM180D12P2C101 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:204A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 35.2mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:23000pF @ 10V
  • puissance - maximum:1130W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:-
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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