NTMFD1D4N02P1E

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Pièce du fabricant

NTMFD1D4N02P1E

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 20V 8PQFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):25V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA, 2V @ 800µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
  • puissance - maximum:960mW (Ta), 1W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerWDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-PQFN (5x6)
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