SISF20DN-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SISF20DN-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
24
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:TrenchFET® Gen IV
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):60V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:33nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1290pF @ 30V
  • puissance - maximum:5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:PowerPAK® 1212-8SCD
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® 1212-8SCD
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