BSZ215CHXTMA1

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Pièce du fabricant

BSZ215CHXTMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
BSZ215CHXTMA1 PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel Complementary
  • fonction fet:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.1A, 3.2A
  • rds sur (max) @ id, vgs:55mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 110µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:2.8nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:419pF @ 10V
  • puissance - maximum:2.5W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TSDSON-8
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