QS8M13TCR

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Pièce du fabricant

QS8M13TCR

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
14648
Fiches techniques en ligne
QS8M13TCR PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6A, 5A
  • rds sur (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.5nC @ 5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:390pF @ 10V
  • puissance - maximum:1.5W
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SMD, Flat Lead
  • paquet de dispositif de fournisseur:TSMT8
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