US6M11TR

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Pièce du fabricant

US6M11TR

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
10334
Fiches techniques en ligne
US6M11TR PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V, 12V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.5A, 1.3A
  • rds sur (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.8nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:110pF @ 10V
  • puissance - maximum:1W
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-SMD, Flat Leads
  • paquet de dispositif de fournisseur:TUMT6
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