FDS8962C

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Pièce du fabricant

FDS8962C

Fabricant
Rochester Electronics
La description
P-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
53900
Fiches techniques en ligne
FDS8962C PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7A, 5A
  • rds sur (max) @ id, vgs:30mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:26nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:575pF @ 15V
  • puissance - maximum:900mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
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