SIB900EDK-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SIB900EDK-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
465
Fiches techniques en ligne
SIB900EDK-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.5A
  • rds sur (max) @ id, vgs:225mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.7nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • puissance - maximum:3.1W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SC-75-6L Dual
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