NVMFD6H846NLWFT1G

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Pièce du fabricant

NVMFD6H846NLWFT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
7500
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):80V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:9.4A (Ta), 31A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:15mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 21µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:17nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:900pF @ 40V
  • puissance - maximum:3.2W (Ta), 34W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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