NTHD3102CT1G

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Pièce du fabricant

NTHD3102CT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
21000
Fiches techniques en ligne
NTHD3102CT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A, 3.1A
  • rds sur (max) @ id, vgs:45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:7.9nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:510pF @ 10V
  • puissance - maximum:1.1W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SMD, Flat Lead
  • paquet de dispositif de fournisseur:ChipFET™
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