IPG20N10S4L35AATMA1

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Pièce du fabricant

IPG20N10S4L35AATMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
IPG20N10S4L35AATMA1 PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):100V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:20A
  • rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 16µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:17.4nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1105pF @ 25V
  • puissance - maximum:43W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount, Wettable Flank
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-10
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