CSD88539ND

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Pièce du fabricant

CSD88539ND

Fabricant
Texas
La description
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
32000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):60V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:15A
  • rds sur (max) @ id, vgs:28mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.6V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:9.4nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:741pF @ 30V
  • puissance - maximum:2.1W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
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