IRF7309PBF

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Pièce du fabricant

IRF7309PBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
P-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
2000
Fiches techniques en ligne
IRF7309PBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A, 3A
  • rds sur (max) @ id, vgs:50mOhm @ 2.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:25nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:520pF @ 15V
  • puissance - maximum:1.4W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
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