EPC2108

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Pièce du fabricant

EPC2108

Fabricant
EPC
La description
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
2586
Fiches techniques en ligne
EPC2108 PDF
Enquête
  • séries:eGaN®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • fonction fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):60V, 100V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.7A, 500mA
  • rds sur (max) @ id, vgs:190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
  • puissance - maximum:-
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:9-VFBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:9-BGA (1.35x1.35)
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