FDME1034CZT

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Pièce du fabricant

FDME1034CZT

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
19306
Fiches techniques en ligne
FDME1034CZT PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3.8A, 2.6A
  • rds sur (max) @ id, vgs:66mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.2nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:300pF @ 10V
  • puissance - maximum:600mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-UFDFN Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-MicroFET (1.6x1.6)
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