SI6562CDQ-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SI6562CDQ-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
150000
Fiches techniques en ligne
SI6562CDQ-T1-GE3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6.7A, 6.1A
  • rds sur (max) @ id, vgs:22mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:23nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:850pF @ 10V
  • puissance - maximum:1.6W, 1.7W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP
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