TPD3215M

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Pièce du fabricant

TPD3215M

Fabricant
Transphorm
La description
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
22
Fiches techniques en ligne
TPD3215M PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fonction fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):600V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:70A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:34mOhm @ 30A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:28nC @ 8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2260pF @ 100V
  • puissance - maximum:470W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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