TPS1120DR

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Pièce du fabricant

TPS1120DR

Fabricant
Texas
La description
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
10000
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 P-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):15V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.17A
  • rds sur (max) @ id, vgs:180mOhm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.45nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • puissance - maximum:840mW
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
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