FDC6312P

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Pièce du fabricant

FDC6312P

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
22000
Fiches techniques en ligne
FDC6312P PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 P-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2.3A
  • rds sur (max) @ id, vgs:115mOhm @ 2.3A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:7nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:467pF @ 10V
  • puissance - maximum:700mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • paquet de dispositif de fournisseur:SuperSOT™-6
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