NTJD5121NT1G

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Pièce du fabricant

NTJD5121NT1G

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
21000
Fiches techniques en ligne
NTJD5121NT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):60V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:295mA
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.6Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:0.9nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:26pF @ 20V
  • puissance - maximum:250mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363
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