EPC2100ENGRT

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Pièce du fabricant

EPC2100ENGRT

Fabricant
EPC
La description
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
EPC2100ENGRT PDF
Enquête
  • séries:eGaN®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fonction fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:10A (Ta), 40A (Ta)
  • rds sur (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • puissance - maximum:-
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:Die
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
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