FDS6930B

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Pièce du fabricant

FDS6930B

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
4790
Fiches techniques en ligne
FDS6930B PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.5A
  • rds sur (max) @ id, vgs:38mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.8nC @ 5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:412pF @ 15V
  • puissance - maximum:900mW
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC
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