IRF7311PBF

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Pièce du fabricant

IRF7311PBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
HEXFET POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
2565
Fiches techniques en ligne
IRF7311PBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6.6A
  • rds sur (max) @ id, vgs:29mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:700mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:27nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:900pF @ 15V
  • puissance - maximum:2W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
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