PDTB113ZQAZ

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Pièce du fabricant

PDTB113ZQAZ

Fabricant
Nexperia
La description
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
PDTB113ZQAZ PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:PNP - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):500 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
  • résistance - base (r1):1 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):10 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:150 MHz
  • puissance - maximum:325 mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:3-XDFN Exposed Pad
  • paquet de dispositif de fournisseur:DFN1010D-3
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