DTC115EMT2L

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Pièce du fabricant

DTC115EMT2L

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
3189
Fiches techniques en ligne
DTC115EMT2L PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):20 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
  • résistance - base (r1):100 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):100 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:82 @ 5mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:250 MHz
  • puissance - maximum:150 mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-723
  • paquet de dispositif de fournisseur:VMT3
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