DTC123JUBHZGTL

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Pièce du fabricant

DTC123JUBHZGTL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
1960
Fiches techniques en ligne
DTC123JUBHZGTL PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • à transistors:NPN - Pre-Biased + Diode
  • courant - collecteur (ic) (max):100 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):-
  • résistance - base (r1):2.2 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • fréquence - transition:250 MHz
  • puissance - maximum:200 mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SC-85
  • paquet de dispositif de fournisseur:UMT3F
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