RN1119MFV,L3F

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Pièce du fabricant

RN1119MFV,L3F

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
RN1119MFV,L3F PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • à transistors:NPN - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):100 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
  • résistance - base (r1):1 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):-
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:150 mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-723
  • paquet de dispositif de fournisseur:VESM
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