NSVB123JPDXV6T1G

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Pièce du fabricant

NSVB123JPDXV6T1G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Séries
-
En stock
52000
Fiches techniques en ligne
NSVB123JPDXV6T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • courant - collecteur (ic) (max):100mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
  • résistance - base (r1):2.2kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):4.7kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:500mW
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-563
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